STB13N60M2, , N-канальный MOSFET транзистор , 600В/13А, корпус TO-263
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
430 шт. с центрального склада, срок 10 дней
1 070 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 10 шт. —
980 ֏
от 20 шт. —
970 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 5 350 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Транзистор полевой N-канальный 600В 11А 110Вт
Технические параметры
Корпус | TO-263(D2PAK) | |
MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 | |
Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
Описание | 600V, 11A N-Channel MOSFET | |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
Тип | MOSFET | |
Тип проводимости | N | |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 59*40*51/500 | |
Упаковка | REEL, 2000 шт. | |
Brand | STMicroelectronics | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 1000 | |
Fall Time | 9.5 ns | |
Id - Continuous Drain Current | 11 A | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-263-3 | |
Packaging | Reel | |
Pd - Power Dissipation | 110 W | |
Product Category | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 17 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 380 mOhms | |
Rise Time | 10 ns | |
RoHS | Details | |
Series | MDmesh M2 | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time | 41 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 11 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
Fall Time: | 9.5 ns | |
Id - Continuous Drain Current: | 11 A | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | TO-263-3 | |
Pd - Power Dissipation: | 110 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 17 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 380 mOhms | |
Rise Time: | 10 ns | |
Series: | STB13N60M2 | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | MDmesh | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 41 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
Вес, г | 1.57 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 29 мая1 | бесплатно |
HayPost | 2 июня1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг