Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › 2N3906BU PNP Transistor, -200 mA, -40 V ...

2N3906BU PNP Transistor, -200 mA, -40 V, 3-Pin TO-92

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

91 ֏

Кратность заказа 1000 шт.

Добавить в корзину 1000 шт. на сумму 91 000 ֏

Альтернативные предложения1

Посмотреть аналоги10

Номенклатурный номер: 8014471929

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 40В, 0,2А, 625мВт, TO92 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	PNP

Технические параметры

Maximum Collector Base Voltage	-40 V
Maximum Collector Emitter Voltage	40 V
Maximum DC Collector Current	200 mA
Maximum Emitter Base Voltage	-5 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	625 mW
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-92
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	PNP
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер	-0.4 V
Максимальная рабочая температура	+150 °C
Количество элементов на ИС	1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер	-0,95 В
Длина	5.2мм
Максимальное напряжение коллектор-база	-40 V
Производитель	ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)	40 V
Тип корпуса	TO-92
Максимальное рассеяние мощности	0.625 W
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Ширина	4.19мм
Максимальный пост. ток коллектора	200 mA
Тип транзистора	PNP
Высота	5.33мм
Число контактов	3
Максимальное напряжение эмиттер-база	-5 V
Размеры	5.2 x 4.19 x 5.33мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току	30
Brand:	onsemi/Fairchild
Collector- Base Voltage VCBO:	40 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	400 mV
Configuration:	Single
DC Current Gain hFE Max:	300
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	10000
Gain Bandwidth Product fT:	250 MHz
Manufacturer:	onsemi
Maximum DC Collector Current:	200 mA
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Package/Case:	TO-92-3
Packaging:	Bulk
Part # Aliases:	2N3906BU_NL
Pd - Power Dissipation:	625 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	2N3906
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	PNP
Brand	ON Semiconductor/Fairchild
Collector- Base Voltage VCBO	40 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V
Configuration	Single
DC Current Gain hFE Max	300
Emitter- Base Voltage VEBO	-5 V
Factory Pack Quantity	1000
Gain Bandwidth Product fT	250 MHz
Height	4.7 mm
Length	4.7 mm
Manufacturer	ON Semiconductor
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-92-3
Packaging	Bulk
Part # Aliases	2N3906BU_NL
Pd - Power Dissipation	625 mW
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	2N3906
Transistor Polarity	PNP
Unit Weight	0.006314 oz
Width	3.93 mm
Вес, г	1