STGW100H65FB2-4 IGBT, 145 A 650 V, 4-Pin TO247-4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт., срок 8 недель
13 900 ֏
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 27 800 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represent an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 145 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 441 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO247-4 |
| Pin Count | 4 |
| Transistor Configuration | Single |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 600 |
| Серия | HB2 |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 145A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 288nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Power - Max | 441W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Series | HB2 -> |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Switching Energy | 1.06mJ (on), 1.14mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 23ns/141ns |
| Test Condition | 400V, 100A, 3.3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 145А |
| Power Dissipation | 441Вт |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | HB2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet STGW100H65FB2-4
pdf, 251 КБ
Datasheet STGW100H65FB2-4
pdf, 240 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]](https://static.chipdip.ru/lib/269/DOC006269373.jpg)
![IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3), Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]](https://static.chipdip.ru/lib/569/DOC010569041.jpg)
