PDTC114YQB-QZ 3 NPN Digital Transistor, 100 mA, 50 V DFN1110D-3

Фото 1/2 PDTC114YQB-QZ 3 NPN Digital Transistor, 100 mA, 50 V DFN1110D-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5000 шт., срок 8 недель
381 ֏
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 19 050 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8015494765
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
The Nexperia NPN resistor equipped transistor (RET) family in an ultra small DFN1110D-3 (SOT8015) leadless surface mounted device (SMD) having plastic package with side-wettable flanks.

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Voltage 50 V
Maximum DC Collector Current 100 mA
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 3
Package Type DFN1110D-3
Transistor Type NPN
Brand: Nexperia
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 100 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min: 100 at 5 mA, 5 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 5000
Manufacturer: Nexperia
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: DFN1110D-3
Part # Aliases: 934663486147
Pd - Power Dissipation: 420 mW
Product Category: Bipolar Transistors-Pre-Biased
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Qualification: AEC-Q101
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Typical Input Resistor: 10 kOhms, 47 kOhms
Typical Resistor Ratio: 4.7
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 358 КБ
Datasheet
pdf, 358 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 7 августа1 бесплатно
HayPost 11 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг