MUN5111DW1T1G, Транзистор: PNP x2, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 187мВт, SOT363
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
34 ֏
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 340 ֏
Описание
Описание Транзистор: PNP x2, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 187мВт, SOT363 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Configuration | Dual |
| Continuous Collector Current | -0.1 A |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 35 |
| DC Current Gain HFE Max | 35 at 5 mA at 10 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-88-6 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 250 mW |
| Peak DC Collector Current | 100 mA |
| Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Series | MUN5111DW1 |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | PNP |
| Typical Input Resistor | 10 kOhms |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet NSVMUN5111DW1T3G
pdf, 134 КБ
