STGP15H60DF, TO-220-3 IGBTs ROHS

STGP15H60DF, TO-220-3 IGBTs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 шт., срок 8 недель
3 680 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 680 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015809310
Бренд: STMicroelectronics

Описание

115W 30A 600V FS(Field Stop) TO-220-3 IGBTs ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 30A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) 600V
Diode Reverse Recovery Time (Trr) 103ns
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) 2V@15V, 15A
Input Capacitance (Cies@Vce) -
Operating Temperature -55℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 115W
Pulsed Collector Current (Icm) 60A
Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) 81nC
Turn?off Delay Time (Td(off)) 118ns
Turn?off Switching Loss (Eoff) 0.207mJ
Turn?on Delay Time (Td(on)) 24.5ns
Turn?on Switching Loss (Eon) 0.136mJ
Type FS(Field Stop)
Brand: STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.6 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 30 A
Continuous Collector Current Ic Max: 15 A
Factory Pack Quantity: 1000
Gate-Emitter Leakage Current: 250 nA
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 115 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 780 КБ
Datasheet
pdf, 761 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 7 августа1 бесплатно
HayPost 11 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг