STGF15H60DF, TO-220 IGBTs ROHS

Фото 1/2 STGF15H60DF, TO-220 IGBTs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 шт., срок 8 недель
1 740 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 740 ֏
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8015844092
Бренд: STMicroelectronics

Описание

IGBT V Series
STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.6В
Collector Emitter Voltage Max 600В
Continuous Collector Current 30А
Power Dissipation 30Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции H
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-220FP
Brand: STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.6 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 30 A
Continuous Collector Current Ic Max: 15 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Gate-Emitter Leakage Current: 250 nA
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 FP
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 30 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Series: STGF15H60DF
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Brand STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.6 V
Configuration Single
Continuous Collector Current at 25 C 30 A
Continuous Collector Current Ic Max 15 A
Factory Pack Quantity 1000
Gate-Emitter Leakage Current 250 nA
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20 V
Maximum Operating Temperature +175 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-220-3 FP
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 30 W
Product Category IGBT Transistors
RoHS Details
Series 600-650V IGBTs
Technology Si
Вес, г 2.43

Техническая документация

Datasheet
pdf, 780 КБ
Datasheet
pdf, 761 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 24 июля1 бесплатно
HayPost 28 июля1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг