C945, Транзистор биполярный BJT 100нА 50В 200мВт 200@1мА,6В 150мА 150МГц 300мВ@100мА,10мА NPN +150-@(Tj) SOT-23

2100 шт., срок 8 недель
13 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт.9 ֏
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 650 ֏
Номенклатурный номер: 8015846721
Бренд: HXY MOSFET

Описание

50V 200mW 150mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 150mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 300mV@100mA, 10mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 200@1mA, 6V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 250mW
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 300MHz
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet
pdf, 732 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 24 июля1 бесплатно
HayPost 28 июля1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг