AO3401-HXY, 30V 4.2A 1.2W 55m-@10V,4.2A 1.3V@250uA P Channel 880pF@15V SOT-23 MOSFETs
11180 шт., срок 8 недель
44 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
31 ֏
от 300 шт. —
22 ֏
от 1500 шт. —
16 ֏
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 440 ֏
Номенклатурный номер: 8015848379
Бренд: HXY MOSFET
Описание
30V 4.2A 1.2W 55mΩ@10V,4.2A 1.3V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4.2A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 49mΩ@10V, 4.2A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 880pF@15V |
| Power Dissipation (Pd) | 1.2W |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2054 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![AO3422A, Транзистор N-MOSFET 60В 2.1А [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288115.jpg)
![AO4405, Транзистор P-MOSFET 30В 6А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
