MMBTH10, 100nA 25V 225mW 100@4mA,10V 50mA 650MHz 500mV@4A,400mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
6350 шт., срок 8 недель
22 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
13 ֏
от 3000 шт. —
10 ֏
от 6000 шт. —
8 ֏
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 1 100 ֏
Номенклатурный номер: 8015902549
Бренд: HXY MOSFET
Описание
25V 225mW 60@4mA,10V 50mA NPN SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 50mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@4A, 400mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@4mA, 10V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 225mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 650MHz |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 700 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары