MMBTH10, 100nA 25V 225mW 100@4mA,10V 50mA 650MHz 500mV@4A,400mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

6350 шт., срок 8 недель
22 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт.13 ֏
от 3000 шт.10 ֏
от 6000 шт.8 ֏
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 1 100 ֏
Номенклатурный номер: 8015902549
Бренд: HXY MOSFET

Описание

25V 225mW 60@4mA,10V 50mA NPN SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 50mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 25V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@4A, 400mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 100@4mA, 10V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 225mW
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 650MHz
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet
pdf, 700 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 24 июля1 бесплатно
HayPost 28 июля1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг