AP10P500N, 100V 1.2A 500m-@10V,1A 1.38W 3V@250uA 25pF@50V P Channel 420pF@50V 10.5nC@10V -55-~+150-@(Tj) SOT-23 MOSFETs
3890 шт., срок 8 недель
123 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
75 ֏
от 150 шт. —
62 ֏
от 500 шт. —
53 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 615 ֏
Номенклатурный номер: 8015928957
Бренд: APEC(Advanced Power Elec)
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 1.2A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 500mΩ@10V, 1A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 420pF@50V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.38W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 25pF@50V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10.5nC@10V |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.05 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![30N03A, Транзистор N-MOSFET 30В 90А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![4N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 4А 33Вт [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
