Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STP80N10F7

STP80N10F7

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 шт. с центрального склада, срок 3 недели

5 900 ֏

от 2 шт. — 5 300 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 900 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8016035822

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Электроэлемент

MOSFET, N-CH, 100V, 80A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0085ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V;

Технические параметры

Brand	STMicroelectronics
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	13 ns
Id - Continuous Drain Current	80 A
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+175 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	110 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	45 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	10 mOhms
Rise Time	32 ns
RoHS	Details
Series	N-channel STripFET
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	36 ns
Typical Turn-On Delay Time	19 ns
Unit Weight	0.01164 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.5 V
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.0085Ом
Power Dissipation	110Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	DeepGATE STripFET VII
Максимальная Рабочая Температура	175 C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	80А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	3.5В
Рассеиваемая Мощность	110Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0085Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220AB
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный