MMUN2234LT1G, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23, R1: 22кОм

Фото 1/3 MMUN2234LT1G, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23, R1: 22кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
68 ֏
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт.30 ֏
от 500 шт.22 ֏
от 3000 шт.17 ֏
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 1 360 ֏
Номенклатурный номер: 8002565789

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23, R1: 22кОм Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 246 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.94 mm
Длина 2.9 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 80
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 80
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Серия MMUN2234L
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 22 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 0.47
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.3 mm
Вес, г 0.07

Техническая документация

Datasheet MMUN2234LT1G
pdf, 382 КБ