KST10MTF, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 25В; 350мВт; SOT23-3L

Фото 1/3 KST10MTF, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 25В; 350мВт; SOT23-3L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
68 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 68 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8017331235

Описание

Описание Транзистор: NPN; биполярный; RF; 25В; 350мВт; SOT23-3L

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 350 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.93 mm
Длина 2.92 mm
Другие названия товара № KST10MTF_NL
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 60
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 25 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 3 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 650 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия KST10
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.3 mm
Brand ON Semiconductor/Fairchild
Collector- Base Voltage VCBO 30 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 25 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.5 V
Configuration Single
DC Collector/Base Gain Hfe Min 60
Emitter- Base Voltage VEBO 3 V
Factory Pack Quantity 3000
Gain Bandwidth Product FT 650 MHz
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature +150 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3
Packaging Cut Tape or Reel
Part # Aliases KST10MTF_NL
Pd - Power Dissipation 350 mW
Product Category Bipolar Transistors-BJT
Product Type BJTs-Bipolar Transistors
Series KST10
Subcategory Transistors
Transistor Polarity NPN
Вес, г 0.008

Техническая документация

Datasheet
pdf, 266 КБ
Datasheet KST10MTF
pdf, 266 КБ