AO4441, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -3,1А, 2Вт, SO8

Фото 1/2 AO4441, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -3,1А, 2Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
920 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 920 ֏
Номенклатурный номер: 8017364496
Бренд: Alpha & Omega

Описание

Описание Транзистор полевой AO4441 от производителя ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR является высококачественным N-MOSFET компонентом, предназначенным для монтажа в SMD-технологии. Устройство обладает током стока 3,1 А и напряжением сток-исток 60 В, что позволяет использовать его в широком спектре электронных схем. Мощность транзистора составляет 2 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,1 Ом, обеспечивает эффективное и экономичное управление нагрузками. Корпус SO8 гарантирует компактное размещение на печатной плате. Приобретая AO4441, вы получаете надежный компонент для своих проектов. Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид N-MOSFET
Монтаж SMD
Ток стока, А 3.1
Напряжение сток-исток, В 60
Мощность, Вт 2
Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.1
Корпус SO8

Технические параметры

Automotive Unknown
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Configuration Single Quad Drain Triple Source
Maximum Continuous Drain Current - (A) 4
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 100@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 60
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??20
Maximum Power Dissipation - (mW) 3100
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~150
Pin Count 8
Standard Package Name SOP
Supplier Package SOIC
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 16
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 8@4.5VI16@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 930@30V
Вес, г 0.115

Техническая документация

Документация
pdf, 302 КБ