AO4441, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -3,1А, 2Вт, SO8
![Фото 1/2 AO4441, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -3,1А, 2Вт, SO8](https://static.chipdip.ru/lib/561/DOC042561892.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/847/DOC004847492.jpg)
920 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 920 ֏
Номенклатурный номер: 8017364496
Бренд: Alpha & Omega
Описание
Описание Транзистор полевой AO4441 от производителя ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR является высококачественным N-MOSFET компонентом, предназначенным для монтажа в SMD-технологии. Устройство обладает током стока 3,1 А и напряжением сток-исток 60 В, что позволяет использовать его в широком спектре электронных схем. Мощность транзистора составляет 2 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,1 Ом, обеспечивает эффективное и экономичное управление нагрузками. Корпус SO8 гарантирует компактное размещение на печатной плате. Приобретая AO4441, вы получаете надежный компонент для своих проектов. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 3.1 |
Напряжение сток-исток, В | 60 |
Мощность, Вт | 2 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.1 |
Корпус | SO8 |
Технические параметры
Automotive | Unknown |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 4 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 100@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 60 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 3100 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Pin Count | 8 |
Standard Package Name | SOP |
Supplier Package | SOIC |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 16 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 8@4.5VI16@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 930@30V |
Вес, г | 0.115 |
Техническая документация
Документация
pdf, 302 КБ
Похожие товары