4N65F, 650V 4A 34W 2.1-@10V,2A 4V@250uA 5.8pF@25V N Channel 425pF@25V 14.5nC@10V +150-@(Tj) ITO-220AB MOSFETs

80 шт., срок 8 недель
342 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.219 ֏
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 1 710 ֏
Номенклатурный номер: 8017581454
Бренд: GOODWORK

Описание

650V 4A 34W 2.1Ω@10V,2A 4V@250uA N Channel ITO-220AB MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 4A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 2.6Ω@10V, 2A
Drain Source Voltage (Vdss) 650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@250uA
Power Dissipation (Pd) 49.8W
Type N Channel
Вес, г 2.29

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 7 августа1 бесплатно
HayPost 11 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг