4N65F, 650V 4A 34W 2.1-@10V,2A 4V@250uA 5.8pF@25V N Channel 425pF@25V 14.5nC@10V +150-@(Tj) ITO-220AB MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
80 шт., срок 8 недель
342 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
219 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 1 710 ֏
Номенклатурный номер: 8017581454
Бренд: GOODWORK
Описание
650V 4A 34W 2.1Ω@10V,2A 4V@250uA N Channel ITO-220AB MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 4A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.6Ω@10V, 2A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 49.8W |
Type | N Channel |
Вес, г | 2.29 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары