Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Texas Instruments › CSD18563Q5A, 60V 100A 6.8mOhm@10V,18A 3.2W ...

CSD18563Q5A, 60V 100A 6.8mOhm@10V,18A 3.2W 2.4V@250uA N Channel DFN-8(5.1x5.7) MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 670 ֏

от 10 шт. — 1 100 ֏

от 30 шт. — 930 ֏

от 100 шт. — 790 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 670 ֏

Посмотреть аналоги3

Номенклатурный номер: 8017594396

Бренд: Texas Instruments

Описание

Мощные N-канальные МОП-транзисторы NexFET
Силовые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.

Технические параметры

Brand:	Texas Instruments
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Fall Time:	1.7 ns
Id - Continuous Drain Current:	100 A
Manufacturer:	Texas Instruments
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	VSONP-8
Pd - Power Dissipation:	116 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Product:	Power MOSFETs
Qg - Gate Charge:	15 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	6.8 mOhms
Rise Time:	6.3 ns
Series:	CSD18563Q5A
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	NexFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel Power MOSFET
Type:	60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:	11.4 ns
Typical Turn-On Delay Time:	3.2 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.7 V
Brand	Texas Instruments
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	250
Fall Time	1.7 ns
Forward Transconductance - Min	60 S
Id - Continuous Drain Current	91 A
Manufacturer	Texas Instruments
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	VSON-FET-8
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	3.2 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	15 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	5.7 mOhms
Rise Time	6.3 ns
RoHS	Details
Series	CSD18563Q5A
Technology	Si
Tradename	NexFET
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	NexFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	11.4 ns
Typical Turn-On Delay Time	3.2 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Вес, г	0.44