CSD17483F4, 30V 1.5A 500mW 240mOhm@8V,500mA 1.1V@250uA N Channel PIcoStar-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
79 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
66 ֏
от 150 шт. —
53 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 395 ֏
Описание
МОП-транзистор 30V N-CH Pwr МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 1.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
Qg - заряд затвора | 1.01 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 240 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 650 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 1.3 ns |
Время спада | 3.4 ns |
Высота | 0.35 mm |
Длина | 1 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | FemtoFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.4 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | CSD17483F4 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 10.6 ns |
Типичное время задержки при включении | 3.3 ns |
Торговая марка | Texas Instruments |
Упаковка / блок | PICOSTAR-3 |
Ширина | 0.64 mm |
Brand | Texas Instruments |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 3.4 ns |
Forward Transconductance - Min | 2.4 S |
Id - Continuous Drain Current | 5 A |
Manufacturer | Texas Instruments |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | QFN-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 500 mW |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 1.01 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 260 mOhms |
Rise Time | 1.3 ns |
RoHS | Details |
Series | CSD17483F4 |
Technology | Si |
Tradename | FemtoFET |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 10.6 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 3.3 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 850 mV |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet CSD17483F4
pdf, 1188 КБ
Похожие товары