NSVMUN5211DW1T2G, 35@5mA,10V 250mV@10mA,300uA 2 NPN - Pre-Biased 385mW 100mA 50V 500nA SOT-363 Digital Transistors
195 ֏
от 10 шт. —
169 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 195 ֏
Описание
35@5mA,10V 2 NPN - Pre-Biased 385mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 35@5mA, 10V |
| Power Dissipation (Pd) | 385mW |
| Transistor Type | 2 NPN-Pre-Biased |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet NSVMUN5211DW1T2G
pdf, 289 КБ
Похожие товары
![DTA124ESATP, Цифровой PNP транзистор, управляемый, [TO-92S/formed]](https://static.chipdip.ru/lib/225/DOC000225827.jpg)
