DDTC143TUA-7-F, SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT

DDTC143TUA-7-F, SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
61 ֏
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.35 ֏
от 600 шт.31 ֏
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 1 220 ֏
Номенклатурный номер: 8017672184
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 4.7K

Технические параметры

Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 2.2 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DDTC143
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 4.7 kOhms
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-323-3
Ширина 1.35 mm
Base Product Number DDTC143 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 250MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SC-70, SOT-323
Power - Max 200mW
REACH Status REACH Unaffected
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-323
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250ВµA, 2.5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Вес, г 0.005

Техническая документация

Datasheet
pdf, 90 КБ
Datasheet
pdf, 338 КБ