Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › FZT651TA, Транзистор: NPN, биполярный, 60В ...

FZT651TA, Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 3А, 3Вт, SOT223

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

254 ֏

от 10 шт. — 197 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 254 ֏

Посмотреть аналоги2

Номенклатурный номер: 8017970339

Бренд: DIODES INC.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 3А, 3Вт, SOT223 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	NPN

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0,6 В
Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальная рабочая частота	175 МГц
Количество элементов на ИС	1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер	1.25 V
Длина	6.55мм
Максимальное напряжение коллектор-база	80 V
Transistor Configuration	Одинарный
Производитель	DiodesZetex
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)	60 В
Тип корпуса	SOT-223
Максимальное рассеяние мощности	2 Вт
Тип монтажа	Surface Mount
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Ширина	3.55мм
Максимальный пост. ток коллектора	3 A
Тип транзистора	NPN
Высота	1.65мм
Число контактов	3 + Tab
Максимальное напряжение эмиттер-база	5 В
Размеры	1.65 x 6.55 x 3.55мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току	40
Base Product Number	FZT651 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	3A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 500mA, 2V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	175MHz
HTSUS	8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Power - Max	2W
REACH Status	REACH Affected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-223
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	60V
Maximum DC Collector Current	3A
Pd - Power Dissipation	2W
Brand	Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	0.43 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	3 A
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	1000
Gain Bandwidth Product fT	175 MHz
Height	1.65 mm(Max)
Length	6.7 mm(Max)
Manufacturer	Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Packaging	Reel
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	FZT651
Transistor Polarity	NPN
Width	3.7 mm(Max)
Диапазон рабочих температур, оС	-55…150
Статический коэффициент передачи тока hfe мин	100
Maximum Collector Base Voltage	80 V
Maximum Collector Emitter Voltage	60 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	175 MHz
Maximum Power Dissipation	2 W
Minimum DC Current Gain	100
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-223(SC-73)
Pin Count	3+Tab
Вес, г	0.24