CSD18535KTTT, N-канал транзистор 60В 2мОм D2PAK//TO-263

CSD18535KTTT, N-канал транзистор 60В 2мОм D2PAK//TO-263
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
760 ֏
от 5 шт.680 ֏
от 20 шт.640 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 760 ֏
Номенклатурный номер: 8018073741
Бренд: Texas Instruments

Описание

транзисторы полевые импортные
N-канал 60V 200A (Ta), 279A (Tc) 300W (Tc) Поверхностный монтаж DDPAK / TO-263-3

Технические параметры

Структура N-канал
Корпус TO-263
Base Product Number CSD18535 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 200A (Ta), 279A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6620pF @ 30V
Manufacturer Product Page http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
Moisture Sensitivity Level (MSL) 2 (1 Year)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-263-4, DВІPak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 10V
REACH Status REACH Affected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series NexFETв„ў ->
Supplier Device Package DDPAK/TO-263-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250ВµA
Вес, г 2