CSD16409Q3, Транзистор N-канал 25В 60А Q3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
387 ֏
от 50 шт. —
236 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 387 ֏
Описание
транзисторы полевые импортные
МОП-транзистор N-Ch NexFET Power МОП-транзисторs
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 2.6 W | |
| Qg - заряд затвора | 4 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.5 mOhms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Время нарастания | 10.6 ns | |
| Время спада | 3.4 ns | |
| Высота | 1 mm | |
| Длина | 3.3 mm | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Коммерческое обозначение | NexFET | |
| Конфигурация | Single | |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 38 S | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 2500 | |
| Серия | CSD16409Q3 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel | |
| Типичное время задержки выключения | 6.3 ns | |
| Типичное время задержки при включении | 6.5 ns | |
| Торговая марка | Texas Instruments | |
| Упаковка / блок | VSON-CLIP-8 | |
| Ширина | 3.3 mm | |
| Brand | Texas Instruments | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 2500 | |
| Fall Time | 3.4 ns | |
| Forward Transconductance - Min | 38 S | |
| Height | 1 mm | |
| Id - Continuous Drain Current | 15 A | |
| Length | 3.3 mm | |
| Manufacturer | Texas Instruments | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | VSON-Clip-8 | |
| Packaging | Reel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.6 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge | 4 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 9.5 mOhms | |
| Rise Time | 10.6 ns | |
| RoHS | Details | |
| Series | CSD16409Q3 | |
| Technology | Si | |
| Tradename | NexFET | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 6.3 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 6.5 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V | |
| Width | 3.3 mm | |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet CSD16409Q3
pdf, 225 КБ
