CSD17571Q2, Транзистор N-канал 30В 22A Q2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
257 ֏
от 50 шт. —
118 ֏
от 200 шт. —
114 ֏
от 350 шт. —
111 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 257 ֏
Описание
транзисторы полевые импортные
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm 6-WSON -55 to 150
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Brand | Texas Instruments | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 3000 | |
| Fall Time | 26 ns | |
| Forward Transconductance - Min | 43 S | |
| Id - Continuous Drain Current | 39 A | |
| Manufacturer | Texas Instruments | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | WSON-FET-6 | |
| Packaging | Reel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge | 2.4 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 29 mOhms | |
| Rise Time | 19 ns | |
| RoHS | Details | |
| Series | CSD17571Q2 | |
| Technology | Si | |
| Tradename | NexFET | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 8 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 5.3 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.6 V | |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Документация
pdf, 952 КБ
