SUM110P06-07L-E3, Микросборка диодная TO-263
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 170 ֏
от 3 шт. —
3 660 ֏
от 10 шт. —
2 990 ֏
от 25 шт. —
2 660 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 170 ֏
Описание
Описание Микросборка диодная TO-263 Характеристики
| Категория | Диод |
| Тип | диодная сборка |
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Fall Time: | 50 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 20 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 110 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Part # Aliases: | SUM110P06-07L |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 230 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.9 mOhms |
| Rise Time: | 25 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 110 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 1.69 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 175 КБ
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 199 КБ
