N-Channel MOSFET, 15 A, 900 V, 3-Pin TO-247 STW15NK90Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт., срок 8 недель
4 330 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 330 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 15 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 550 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 900 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 350 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 190 nC @ 10 V |
| Width | 5.15mm |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![2SJ162, Транзистор, Р-канал, аудио приложения [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/234/DOC000234969.jpg)
![AFT05MS006NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 6 Вт, 7.5 В [PLD-1.5W]](https://static.chipdip.ru/lib/801/DOC004801137.jpg)
![AUIRF1324S-7P, Транзистор, Auto Q101 Nкан 24В 429А [D2PAK-7]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294540.jpg)
![2SK1317-E, Транзистор, N-канал [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/217/DOC000217114.jpg)
![CI30N120SM, Транзистор N-MOSFET SiC 1200В 31А 200Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
