Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › BCX56TA, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 1А ...

BCX56TA, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 1А, 1Вт, SOT89

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

123 ֏

105 ֏

Кратность заказа 10 шт.

Добавить в корзину 10 шт. на сумму 1 050 ֏

Номенклатурный номер: 8021855786

Бренд: DIODES INC.

Описание

Описание Транзистор биполярный BCX56TA от производителя DIODES INCORPORATED представляет собой качественный компонент для монтажа на поверхность (SMD). Этот NPN транзистор способен выдерживать ток коллектора до 1 А и напряжение коллектор-эмиттер до 80 В, что делает его подходящим для широкого спектра электронных применений. С мощностью в 1 Вт и компактным корпусом SOT89, BCX56TA является отличным выбором для использования в усилителях, переключателях и других электронных схемах, где требуется надежность и эффективность. Уникальный код товара BCX56TA обеспечивает удобство идентификации продукта и упрощает процесс покупки. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	NPN
Монтаж	SMD
Ток коллектора, А	1
Напряжение коллектор-эмиттер, В	80
Мощность, Вт	1
Корпус	SOT89

Технические параметры

Brand	Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO	100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Configuration	Single
DC Collector/Base Gain Hfe Min	40
DC Current Gain HFE Max	250
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V
Factory Pack Quantity	1000
Gain Bandwidth Product FT	150 MHz
Manufacturer	Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current	1 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-89-3
Packaging	Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation	1000 mW
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors
Series	BCX56
Subcategory	Transistors
Transistor Polarity	NPN
Brand:	Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO:	100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	500 mV
Configuration:	Single
DC Collector/Base Gain hfe Min:	40
DC Current Gain hFE Max:	250
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Gain Bandwidth Product fT:	150 MHz
Manufacturer:	Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current:	1 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	SOT-89-3
Pd - Power Dissipation:	1 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	BCX56
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Voltage	80 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	150 MHz
Maximum Power Dissipation	1 W
Minimum DC Current Gain	40
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-89
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	0.2