2N5192G, Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 4А, 40Вт, TO225
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 430 ֏
от 5 шт. —
850 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 430 ֏
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 4А, 40Вт, TO225 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 11.04 mm |
| Длина | 7.74 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.4 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 2 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | 2N5192 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-225-3 |
| Ширина | 2.66 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V dc |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V dc |
| Maximum DC Collector Current | 4 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Minimum DC Current Gain | 20 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-225 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 0.68 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 139 КБ
Datasheet 2N5192G
pdf, 196 КБ
