50C02CH-TL-E, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
307 ֏
от 25 шт. —
223 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 307 ֏
Описание
Описание Транзистор: NPN
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 500 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 300 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 500 MHz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 700 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | 50C02CH |
| Transistor Polarity | NPN |
| Unit Weight | 0.00031 oz |
| Case | SOT23 |
| Collector current | 0.5A |
| Collector-emitter voltage | 50V |
| Current gain | 300…800 |
| Frequency | 500MHz |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting | SMD |
| Polarisation | bipolar |
| Power dissipation | 0.7W |
| Type of transistor | NPN |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet 50C02CH-TL-E
pdf, 299 КБ
