Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Транзисторы цифровые (BRTs) › Rohm › UMH11NTN

UMH11NTN

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

300 шт., срок 8-10 недель

27 ֏

Мин. кол-во для заказа 60 шт.

Добавить в корзину 60 шт. на сумму 1 620 ֏

Альтернативные предложения4

Посмотреть аналоги4

Номенклатурный номер: 8022703807

Бренд: Rohm

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DUAL NPN 50V 50MA SOT-363

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	150 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.9 mm
Длина	2 mm
Другие названия товара №	UMH11N
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	UMH11N
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	1
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	UMT-6
Ширина	1.25 mm
Brand	ROHM Semiconductor
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Configuration	Dual
Continuous Collector Current	100 mA
DC Collector/Base Gain Hfe Min	30
Factory Pack Quantity	3000
Manufacturer	ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	UMT-6
Packaging	Cut Tape or Reel
Part # Aliases	UMH11N
Pd - Power Dissipation	150 mW
Peak DC Collector Current	100 mA
Product Category	Bipolar Transistors-Pre-Biased
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Series	UMH11N
Subcategory	Transistors
Transistor Polarity	NPN
Typical Input Resistor	10 kOhms
Typical Resistor Ratio	1
Height	0.9 mm
Length	2 mm
RoHS	Details
Width	1.25 mm