UMG9NTR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3000 шт., срок 8-10 недель
31 ֏
Мин. кол-во для заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 1 550 ֏
Альтернативные предложения2
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности: | 150 mW |
Вид монтажа: | SMD/SMT |
Другие названия товара №: | UMG9N |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 30 |
Конфигурация: | Dual Common Emitter |
Максимальная рабочая температура: | +150 C |
Минимальная рабочая температура: | -55 C |
Непрерывный коллекторный ток: | 50 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора: | 100 mA |
Подкатегория: | Transistors |
Полярность транзистора: | NPN |
Производитель: | ROHM Semiconductor |
Размер фабричной упаковки: | 3000 |
Серия: | UMG9N |
Тип продукта: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление: | 10 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора: | 1 |
Торговая марка: | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок: | UMT-5 |
Техническая документация
Datasheet UMG9NTR
pdf, 1459 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары