Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Texas Instruments › CSD18512Q5B

CSD18512Q5B

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

740 ֏

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 100 шт. — 700 ֏

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 1 480 ֏

Номенклатурный номер: 8023060454

Бренд: Texas Instruments

Описание

Мощные N-канальные МОП-транзисторы NexFET
Силовые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.

Технические параметры

Brand	Texas Instruments
Channel Mode	Enhancement
Configuration	1 N-Channel
Factory Pack Quantity	2500
Fall Time	7 ns
Forward Transconductance - Min	136 S
Id - Continuous Drain Current	100 A
Manufacturer	Texas Instruments
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	VSON-Clip-8
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	139 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	98 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	2.3 mOhm
Rise Time	16 ns
RoHS	Details
Series	CSD18512Q5B
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	31 ns
Typical Turn-On Delay Time	7 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.3 V
Brand:	Texas Instruments
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Fall Time:	7 ns
Forward Transconductance - Min:	136 S
Id - Continuous Drain Current:	100 A
Manufacturer:	Texas Instruments
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	VSON-CLIP-8
Pd - Power Dissipation:	139 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	98 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	1.8 mOhms
Rise Time:	16 ns
Series:	CSD18512Q5B
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	NexFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	31 ns
Typical Turn-On Delay Time:	7 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.3 V