Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Транзисторы цифровые (BRTs) › Rohm › UMH3NTN

UMH3NTN

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2170 шт., срок 8-10 недель

35 ֏

Мин. кол-во для заказа 46 шт.

от 100 шт. — 29 ֏

от 500 шт. — 25 ֏

Добавить в корзину 46 шт. на сумму 1 610 ֏

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8023077484

Бренд: Rohm

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DUAL NPN 50V 100MA SOT-363

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	150 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.9 mm
Длина	2 mm
Другие названия товара №	UMH3N
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	100
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	600
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	UMH3N
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	4.7 kOhms
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	UMT-6
Ширина	1.25 mm
Base Product Number	*MH3 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 1mA, 5V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	250MHz
HTSUS	8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Other Related Documents	http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max	150mW
REACH Status	REACH Unaffected
Resistor - Base (R1)	4.7kOhms
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Simulation Models	http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Supplier Device Package	UMT6
Transistor Type	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Brand	ROHM Semiconductor
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Configuration	Dual
Continuous Collector Current	100 mA
DC Collector/Base Gain Hfe Min	100
DC Current Gain HFE Max	600
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	3000
Manufacturer	ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Packaging	Cut Tape or Reel
Part # Aliases	UMH3N
Pd - Power Dissipation	150 mW
Peak DC Collector Current	100 mA
Product Category	Bipolar Transistors-Pre-Biased
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Series	UMH3N
Subcategory	Transistors
Transistor Polarity	NPN
Typical Input Resistor	4.7 kOhms
Collector Emitter Voltage Max NPN	50В
DC Current Gain hFE Min	100hFE
Power Dissipation	150мВт
Количество Выводов	6 Выводов
Корпус РЧ Транзистора	SOT-363
Линейка Продукции	UMH3N Series
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер	50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic	100мА
Полярность Цифрового Транзистора	Двойной NPN
Резистор На входе Базы R1	4.7кОм
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-363
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный