Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Texas Instruments › CSD18533Q5A

CSD18533Q5A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

660 ֏

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 1 980 ֏

Номенклатурный номер: 8023114189

Бренд: Texas Instruments

Описание

Мощные N-канальные МОП-транзисторы NexFET
Силовые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	100 A
Maximum Drain Source Resistance	8.5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.3V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	3.2 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1.5V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	VSONP
Pin Count	8
Series	NexFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	14 nC @ 4.5 V
Width	5mm
Brand:	Texas Instruments
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Fall Time:	2 ns
Forward Transconductance - Min:	122 S
Id - Continuous Drain Current:	100 A
Manufacturer:	Texas Instruments
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	VSONP-8
Pd - Power Dissipation:	3.2 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	29 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	6.5 mOhms
Rise Time:	5.5 ns
Series:	CSD18533Q5A
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	NexFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	15 ns
Typical Turn-On Delay Time:	5.2 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.9 V