DTC143ZCAT116
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1470 шт., срок 8-10 недель
35 ֏
Мин. кол-во для заказа 47 шт.
Добавить в корзину 47 шт.
на сумму 1 645 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
80@10mA,5V 1 NPN - Pre Biased 200mW 100mA 50V 500nA SOT-23 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@250uA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@10mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1142 КБ
Datasheet DTC143ZCAT116
pdf, 1110 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![DTA114YKA, Транзистор PNP Digital 50В R1=10 кОм R2= 47 кОм 0.2Вт [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![PDTD123YT,215, Цифровой транзистор NPN 50В 500мА R1=2.2 кОм R2=10кОм [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/799/DOC038799595.jpg)
