SiC N-Channel MOSFET, 46 A, 1200 V TO-247 MSC040SMA120B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
39 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 39 400 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Microchip silicon carbide power MOSFET product line from Micro semi increases the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost of ownership for high voltage applications.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 46 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Transistor Material | SiC |
| Id - непрерывный ток утечки: | 62 A |
| Pd - рассеивание мощности: | 311 W |
| Qg - заряд затвора: | 140 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 50 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 1.2 kV |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 10 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 1.8 V |
| Вид монтажа: | Through Hole |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Конфигурация: | Single |
| Максимальная рабочая температура: | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Производитель: | Microchip |
| Размер фабричной упаковки: | 1 |
| Технология: | SiC |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Торговая марка: | Microchip / Microsemi |
| Упаковка / блок: | TO-247-3 |
| Упаковка: | Tube |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 3715 КБ
Datasheet MSC040SMA120B
pdf, 1239 КБ
Похожие товары
![Транзистор 2SK1271, тип N, 240 Вт, корпус TO-3P[N] ,NEC](https://static.chipdip.ru/lib/125/DOC011125892.jpg)
