Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › FZT653TA, Транзистор: NPN, биполярный, 120В ...

FZT653TA, Транзистор: NPN, биполярный, 120В, 2А, 3Вт, SOT223

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

320 ֏

от 10 шт. — 254 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 320 ֏

Номенклатурный номер: 8023346204

Бренд: DIODES INC.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 120В, 2А, 3Вт, SOT223 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	NPN

Технические параметры

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальная рабочая частота	175 МГц
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер	1.25 V
Максимальное напряжение коллектор-база	120 V
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)	100 В
Тип корпуса	SOT-223
Максимальное рассеяние мощности	2 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	3.7мм
Максимальный пост. ток коллектора	2 A
Высота	1.65мм
Размеры	1.65 x 6.7 x 3.7мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току	25
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0,5 В
Количество элементов на ИС	1
Длина	6.7мм
Transistor Configuration	Одинарный
Производитель	DiodesZetex
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Тип транзистора	NPN
Число контактов	3 + Tab
Максимальное напряжение эмиттер-база	5 В
EU RoHS	Compliant with Exemption
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.95
Type	NPN
Product Category	Bipolar Power
Material	Si
Configuration	Single Dual Collector
Number of Elements per Chip	1
Maximum Collector Base Voltage (V)	120
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	100
Maximum Emitter Base Voltage (V)	7
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)	1.25@100mA@1A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.3@100mA@1A\|0.5@200mA@2A
Maximum DC Collector Current (A)	2
Minimum DC Current Gain	25@2A@2V\|70@50mA@2V\|100@500mA@2V\|55@1A@2V
Maximum Power Dissipation (mW)	3000
Maximum Transition Frequency (MHz)	175(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Tape and Reel
Automotive	Yes
AEC Qualified Number	AEC-Q101
Standard Package Name	SOT-223
Supplier Package	SOT-223
Pin Count	4
Military	No
Mounting	Surface Mount
Package Height	1.65(Max)
Package Length	6.7(Max)
Package Width	3.7(Max)
PCB changed	3
Tab	Tab
Lead Shape	Gull-wing
Pd - рассеивание мощности	2 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.23 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	2 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	175 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	FZT653
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-223-4
Base Product Number	FZT653 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	2A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 500mA, 2V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	175MHz
HTSUS	8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Power - Max	2W
REACH Status	REACH Affected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-223
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	100V
Maximum DC Collector Current	2A
Pd - Power Dissipation	2W
Maximum Collector Base Voltage	120 V
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	175 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	2 W
Package Type	SOT-223(SC-73)
Вес, г	0.39