IRF7805ZTRPBF

Фото 1/2 IRF7805ZTRPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
570 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 1 710 ֏
Номенклатурный номер: 8024074095

Описание

МОП-транзистор MOSFT 30V 16A 6.8mOhm 18nC

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 16 A
Pd - рассеивание мощности 2.5 W
Qg - заряд затвора 18 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 8.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.75 mm
Длина 4.9 mm
Другие названия товара № IRF7805ZTRPBF SP001563692
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 4000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка Infineon / IR
Упаковка / блок SO-8
Ширина 3.9 mm
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Forward Diode Voltage 1V
Maximum Continuous Drain Current 16 A
Maximum Drain Source Resistance 8.7 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Maximum Gate Source Voltage ±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2.25V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 2.5 W
Minimum Gate Threshold Voltage 1.35V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SO-8
Pin Count 8
Series IRF7805Z
Transistor Configuration Single
Typical Gate Charge @ Vgs 18 nC @ 4.5 V
Width 4mm
Вес, г 8

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF7805ZTRPBF
pdf, 255 КБ
Datasheet IRF7805ZTRPBF
pdf, 270 КБ