IRF7805ZTRPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
570 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 1 710 ֏
Описание
МОП-транзистор MOSFT 30V 16A 6.8mOhm 18nC
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 16 A |
Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
Qg - заряд затвора | 18 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.7 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.75 mm |
Длина | 4.9 mm |
Другие названия товара № | IRF7805ZTRPBF SP001563692 |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | Infineon / IR |
Упаковка / блок | SO-8 |
Ширина | 3.9 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1V |
Maximum Continuous Drain Current | 16 A |
Maximum Drain Source Resistance | 8.7 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.25V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.35V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SO-8 |
Pin Count | 8 |
Series | IRF7805Z |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
Width | 4mm |
Вес, г | 8 |
Техническая документация
Похожие товары