PDTA114YU,115, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
950 шт., срок 8 недель
65 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
39 ֏
от 300 шт. —
31 ֏
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 650 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8024652500
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
100@5mA,5V One PNP - Pre-Biased 200mW 100mA 50V 1uA SOT-323-3 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 100mV@5mA, 250uA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@5mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | One PNP-Pre-Biased |
| Base resistor | 10kΩ |
| Base-emitter resistor | 47kΩ |
| Case | SC70, SOT323 |
| Collector current | 0.1A |
| Collector-emitter voltage | 50V |
| Current gain | 100 |
| Frequency | 180MHz |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of transistor | BRT |
| Manufacturer | NEXPERIA |
| Mounting | SMD |
| Polarisation | bipolar |
| Power dissipation | 0.2W |
| Type of transistor | PNP |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet PDTA114YT,215
pdf, 858 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
