PDTC114ET,215, Транзистор, NPN Digital, 50В, 100мА, R1/R2=10кОм, [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
40 шт. со склада г.Ереван, Сегодня
5681 шт. с центрального склада, срок 12 дней
40 ֏
от 100 шт. —
27 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 40 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 9000032226
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.
Технические параметры
Полярность | npn | |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 50 | |
Ток коллектор-эмиттер, мА | 100 | |
Резистор на входе Базы R1, кОм | 10 | |
Резистор База-Эмиттер R2, кОм | 10 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Структура | npn с 2 резисторами | |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 50 | |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 | |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 | |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 | |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 230 | |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 | |
Корпус | sot-23 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 711 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet PDTC114ET,215
pdf, 848 КБ
Datasheet PDTC114EU,115
pdf, 1327 КБ
PDTC114ET Datasheet
pdf, 56 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | Сегодня1 | бесплатно |
HayPost | 18 июня1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
С этим товаром покупают
Похожие товары