MJE5852G, Транзистор: PNP, биполярный, 400В, 8А, 80Вт, TO220AB

Фото 1/3 MJE5852G, Транзистор: PNP, биполярный, 400В, 8А, 80Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 830 ֏
от 3 шт.3 230 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 830 ֏
Номенклатурный номер: 8024937904

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 400В, 8А, 80Вт, TO220AB Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 5 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,5 В
Длина 10.28мм
Transistor Configuration Одинарный
Производитель ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 400 V
Тип корпуса TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности 80 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -65 °C
Ширина 4.82мм
Максимальный пост. ток коллектора 8 A
Тип транзистора PNP
Высота 9.28мм
Число контактов 3
Максимальное напряжение эмиттер-база 6 В
Размеры 9.28 x 10.28 x 4.82мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 5
Brand ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO 450 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 400 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 8 A
DC Collector/Base Gain hfe Min 15
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Factory Pack Quantity 50
Height 15.75 mm
Length 10.53 mm
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current 8 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 80 W
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series MJE5852
Transistor Polarity PNP
Unit Weight 0.211644 oz
Width 4.83 mm
Вес, г 3.2

Техническая документация

Документация
pdf, 249 КБ