CSD17308Q3, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
366 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 366 ֏
Посмотреть аналоги3
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Pd - рассеивание мощности | 28 W |
| Qg - заряд затвора | 3.9 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10.3 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 900 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 5.7 ns |
| Время спада | 2.3 ns |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3.3 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | CSD17308Q3 |
| Средства разработки | BQ500211AEVM-210 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 9.9 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.5 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | VSON-CLIP-8 |
| Ширина | 3.3 mm |
| RoHS Compliant | Yes |
| Вес, г | 0.068 |
Техническая документация
Datasheet CSD17308Q3
pdf, 520 КБ
Документация
pdf, 406 КБ
