BDV64BG, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 10А, 125Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 360 ֏
от 5 шт. —
2 770 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 360 ֏
Описание
Описание Транзистор биполярный PNP Дарлингтон BDV64BG от ONSEMI - идеальный выбор для проектов, требующих высоких напряжений и токов. С монтажом THT, этот компонент обеспечивает ток коллектора до 10 А и напряжение коллектор-эмиттер до 100 В, при мощности 125 Вт. Упакованный в надежный TO247 корпус, он гарантирует долговечность и стабильность в широком диапазоне областей применения. Модель BDV64BG отличается высокой эффективностью и простотой в интеграции с вашими проектами. Используя BDV64BG, вы получаете надежность и производительность от ведущего производителя ONSEMI, что делает его отличным выбором для разработчиков и инженеров. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP, Дарлингтон |
| Монтаж | THT |
| Ток коллектора, А | 10 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 100 |
| Мощность, Вт | 125 |
| Корпус | TO247 |
Технические параметры
| Collector Current (DC) | 10(A) |
| Collector Current (DC) (Max) | 10 A |
| Collector-Base Voltage | 100(V) |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 2(V) |
| Collector-Emitter Voltage | 100(V) |
| Configuration | Single |
| DC Current Gain | 1000 |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Maximum Collector Cut-off Current | 400 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -65C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | TO-247 |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Polarity | PNP |
| Power Dissipation | 125(W) |
| Rad Hardened | No |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V dc |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -100 V |
| Maximum DC Collector Current | -10 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Collector Current (Ic) | 10A |
| Collector cut-off current (Icbo@Vcb) | 1mA |
| Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 2V@5A, 20mA |
| Collector-emitter voltage (Vceo) | 100V |
| DC current gain (hFE@Vce,Ic) | 1000@4V, 5A |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 125W |
| Transition frequency (fT) | - |
| Вес, г | 6.13 |
