SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор маломощный
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
253 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт. —
206 ֏
от 100 шт. —
181 ֏
от 500 шт. —
138 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 1 265 ֏
Описание
Транзистор полевой P-канальный 8В 5.8А 0.96Вт
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.4 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 35 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 960 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V, 20 nC @ 8 V |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 0.03 |
