STD5NK50ZT4, , Транзистор полевой N-канальный, 500В, 4.4А, 70Вт, корпус TO-252-3(DPak)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2425 шт. с центрального склада, срок 9 дней
290 ֏
Кратность заказа 25 шт.
от 100 шт. —
251 ֏
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 7 250 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 2,7А, 70Вт, DPAK
Технические параметры
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*46/2500 |
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 2500 |
Fall Time | 15 ns |
Forward Transconductance - Min | 3.1 S |
Id - Continuous Drain Current | 4.4 A |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number Of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-252-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 70 W |
Product Category | MOSFET |
Product Type | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.5 Ohms |
Rise Time | 10 ns |
Series | STD5NK50ZT4 |
Subcategory | MOSFETs |
Technology | Si |
Tradename | SuperMESH |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 32 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Height | 2.4 mm |
Length | 6.6 mm |
RoHS | Details |
Unit Weight | 0.139332 oz |
Width | 6.2 mm |
Вес, г | 0.54 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 12 июня1 | бесплатно |
HayPost | 16 июня1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары