2N7008-G, Транзистор МОП n-канальный, 60В, 500мА, TO92, Канал обогащенный
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 100 ֏
от 5 шт. —
890 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 100 ֏
Описание
Описание Транзистор МОП n-канальный, 60В, 500мА, TO92, Канал обогащенный
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 230 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 5.33 mm |
| Длина | 5.21 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Ширина | 4.19 mm |
| Base Product Number | 2N7008 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 230mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| PCN Assembly/Origin | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| PCN Packaging | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5Ohm @ 500mA, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.5V |
| Maximum Continuous Drain Current | 230 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-92 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Width | 4.06mm |
| Series | 2N7008 |
| Continuous Drain Current | 0.23(A) |
| Drain-Source On-Volt | 60(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±30(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Packaging | Bag |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 1(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 556 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2N7008-G
pdf, 725 КБ
Datasheet 2N7008-G
pdf, 328 КБ
