FMMT619TA, Транзистор NPN, биполярный, 50В, 2А, 625мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
193 ֏
Кратность заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 579 ֏
Посмотреть аналоги3
Описание
Описание Транзистор NPN, биполярный, 50В, 2А, 625мВт, SOT23 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.22 V |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальная рабочая частота | 165 MHz |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1 В |
| Длина | 3мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 50 V |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | DiodesZetex |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 50 V |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Максимальное рассеяние мощности | 0.625 W |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 1.4мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 2 A |
| Тип транзистора | NPN |
| Высота | 1.1мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 1.1 x 3 x 1.4мм |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 2A |
| Pd - Power Dissipation | 625mW |
| Transistor Type | NPN |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 150 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 2 A |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 165 MHz |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 625 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | FMMT619 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 165 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 625 mW |
| Minimum DC Current Gain | 300 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Похожие товары
![КТ3130А9, Транзистор NPN 50В 0.1А 150мГц 0.1Вт [КТ-46]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![КТ816А, Биполярный транзистор, PNP, -40В, -3А, 25Вт, 3МГц, h21e=25…275 [КТ-27 / TO-126]](https://static.chipdip.ru/lib/278/DOC005278800.jpg)
