Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ST Microelectronics › STP6NK90ZFP, , Полевой N-канальный Транзистор ...

STP6NK90ZFP, , Полевой N-канальный Транзистор , 900В, 5.8А, 30Вт, корпус TO-220-3 Full Pack

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

330 шт. с центрального склада, срок 11 дней

740 ֏

Кратность заказа 10 шт.

Добавить в корзину 10 шт. на сумму 7 400 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8026860569

Бренд: STMicroelectronics

Описание

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 900В, 3,65А, 30Вт, TO220FP Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Корпус	TO-220-3 FP
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Емкость, пФ	1350
Максимальное напряжение сток-исток, В	900
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	5.8
Мощность	рассеиваемая(Pd)-30 Вт
Описание	900V, 5.8A N-Channel MOSFET
Способ монтажа	Through Hole
Тип	MOSFET
Тип проводимости	N
Транспортная упаковка: размер/кол-во	564636/500
Упаковка	TUBE, 50 шт.
EU RoHS	Compliant with Exemption
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
Product Category	Power MOSFET
Process Technology	SuperMESH
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	900
Maximum Gate Source Voltage (V)	±30
Maximum Continuous Drain Current (A)	5.8
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	2000@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	46.5@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	46.5
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	1350@25V
Maximum Power Dissipation (mW)	30000
Typical Fall Time (ns)	20
Typical Rise Time (ns)	45
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	20
Typical Turn-On Delay Time (ns)	17
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Tube
Automotive	No
Pin Count	3
Supplier Package	TO-220FP
Standard Package Name	TO-220
Military	No
Mounting	Through Hole
Package Height	16.4(Max)
Package Length	10.4(Max)
Package Width	4.6(Max)
PCB changed	3
Tab	Tab
Lead Shape	Through Hole
Maximum Continuous Drain Current	5.8 A
Maximum Drain Source Resistance	2 Ω
Maximum Drain Source Voltage	900 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.5V
Maximum Operating Temperature	+150 C
Maximum Power Dissipation	30 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-220FP
Series	MDmesh, SuperMESH
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	46.5 nC 10 V
Width	4.6mm
кол-во в упаковке	50
Brand	STMicroelectronics
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	20 ns
Forward Transconductance - Min	5 S
Height	9.3 mm
Id - Continuous Drain Current	5.8 A
Length	10.4 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220FP-3
Pd - Power Dissipation	30 W
Qg - Gate Charge	46.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	2 Ohms
Rise Time	45 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	20 ns
Typical Turn-On Delay Time	17 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	900 V
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.75 V
Вес, г	2