HXY80N06D, полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8 мОм, 33 нКл, TO-252 (DPAK)
![HXY80N06D, полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8 мОм, 33 нКл, TO-252 (DPAK)](https://static.chipdip.ru/lib/131/DOC042131125.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2350 шт. с центрального склада, срок 10 дней
114 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт. —
110 ֏
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 5 700 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8028728063
Бренд: HXY
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Технические параметры
Корпус | TO-252(DPAK) | |
Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
Емкость, пФ | 2680 | |
Заряд затвора, нКл | 33 | |
Максимальное напряжение сток-исток, В | 60 | |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 80 | |
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 8 | |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
Тип | MOSFET | |
Тип проводимости | N | |
Упаковка | REEL, 2500 шт. | |
Вес, г | 0.55 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 533 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 26 июня1 | бесплатно |
HayPost | 30 июня1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары