P-Channel MOSFET, 100 V SOT-23 VP2110K1-G

Фото 1/3 P-Channel MOSFET, 100 V SOT-23 VP2110K1-G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 390 ֏
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 13 900 ֏
Номенклатурный номер: 8030985295

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Microchip P-Channel low threshold, enhancement-mode (normally-off) MOSFET utilizes a vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process.

Технические параметры

Channel Type P
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Mounting Type Through Hole
Package Type SOT-23
Id - непрерывный ток утечки 120 mA
Pd - рассеивание мощности 360 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 12 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 5 ns
Время спада 4 ns
Высота 0.95 mm
Длина 2.9 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 150 mS
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Продукт MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип FET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения 5 ns
Типичное время задержки при включении 4 ns
Торговая марка Microchip Technology
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.3 mm
Drain Source On State Resistance 9Ом
Power Dissipation 360мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 100В
Непрерывный Ток Стока 120мА
Пороговое Напряжение Vgs 3.5В
Рассеиваемая Мощность 360мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 9Ом
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный

Техническая документация

Datasheet VP2110K1-G
pdf, 488 КБ
Datasheet VP2110K1-G
pdf, 638 КБ